10.3969/j.issn.1004-227X.2004.05.001
化学沉积纳米晶Co-P合金及其沉积速率影响因素的研究
化学沉积可得到均匀、致密的纳米晶薄膜,是一种较为理想的纳米晶制备方法.采用正交实验优化了化学沉积纳米晶钴磷合金的工艺配方,研究了正交实验5因素如硫酸钴、柠檬酸三钠、硼酸、次磷酸钠和温度及负载因子、沉积时间对沉积速度的影响.研究获得的优化工艺配方和参数为:0.06~0.12 mol/L CoSO4·7H2O,0.40~0.55 mol/L NaH2PO2·H2O,0.15~0.3 mol/L Na3C6H5O7·2H2O,0.3~0.6 mol/L H3BO3,50~80 ℃,负载因子0.4~0.8 dm2/L.
钴磷合金、化学沉积、纳米晶、沉积速率
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TQ153.2;TG178
安徽省自然科学基金00046403
2004-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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