10.3969/j.issn.1000-4742.2018.06.015
氧化铝模板法电沉积制备钴纳米线
采用氧化铝模板法电沉积制备钴纳米线,并研究了沉积电位对钴纳米线的表面形貌和磁性能的影响.研究发现:电沉积钴纳米线的过程中,沉积电位与生长速率相互影响和制约.沉积电位太低,团聚作用明显,得不到钴纳米线;沉积电位增大,晶体表面能降低,有利于钴纳米线的生长,提高磁性能.然而,当沉积电位大于1.4V时,钴纳米线疏松短小,导致矫顽力下降.
氧化铝模板、钴纳米线、电沉积
38
TQ153
2018-12-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
47-49