碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究

摘要：

碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择.从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数.在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析.并设计两种过电压保护电路使SiC-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性.

关键词：碳化硅MOSFET、直流断路器、直流电路模型、操作过电压、过电压保护电路

所属期刊栏目：54

分类号：TM933

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目2016MS85

在线出版日期：2017-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-69