硅源反应时间对中空碳球电化学性能的影响

摘要：

中空碳材料具有理想的结构特性,广泛应用于超级电容器电极材料.以间苯二酚-甲醛(RF)树脂为碳源、正硅酸乙酯(TEOS)为硅模板,采用硬模板法合成大小均一的中空碳球.探究硅源反应时间(即加入硅源与碳源的时间间隔,包括0 min、10 min、20 min和30 min)对制备的中空碳球结构和电化学性能的影响.在-1.0～0 V充放电,反应时间为20 min时,中空碳球的电化学性能较好:电容较高,0.5 A/g电流下的比电容可达260.3 F/g;倍率性能较好,电流为20.0 A/g时的比电容为0.5 A/g时的70.8％;循环性能较好,以10.0 A/g的电流循环2000次,电容保持率为98.4％.

关键词：中空碳球、反应时间、硬模板法、电化学性能、超级电容器

所属期刊栏目：52

分类号：TM533(电器)

资助基金：本工作得到济南明珠有限责任公司的大力资助,特此致谢1000-12020111

在线出版日期：2022-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：367-371