10.3969/j.issn.1001-1579.2009.04.006
表面修饰In(OH)3后ZnO的电化学性能
用化学沉淀法在ZnO颗粒表面修饰了In(OH)3层.粉末XRD和TEM测试的结果表明,In(OH)3颗粒的尺寸约为10~30 nm.随着In(OH),负载量的增加,ZnO的放电比容量、利用率和电荷转移电阻逐渐增大,而充放电电压逐渐降低.In(OH)3负载量为12.5%的ZnO与纯ZnO前150次循环的平均放电比容量分别为552 mAh/g和286 mAh/g;ZnO的平均利用率分别为84.2%和44.7%;电荷转移电阻分别为0.82Ω和0.24Ω;平均充放电电压降低24 mV和40 mV.
ZnO、In(OH)3、表面修饰、锌镍电池
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TM912.2
国家自然科学基金项目20873126;郑州市科技攻关项目083SGYG26122-1
2009-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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195-197