电解刻蚀集流体铜箔对负极性能的影响

摘要：

用扫描电镜、交流阻抗谱和恒流充放电等方法,分析了电解刻蚀集流体铜箔对纳米硅和微晶石墨负极性能的影响.电解刻蚀后,铜箔表面形成了沟壑式形貌,与负极材料紧密接触;以0.1 C充放电,纳米硅和微晶石墨负极的首次充放电效率分别提高了7.0%和7.3%,第30次循环的放电比容量分别从192 mAh/g、325 mAh/g提高到217 mAh/g、358 mAh/g.

关键词：集流体、铜箔、电解刻蚀、纳米硅、微晶石墨、负极

所属期刊栏目：39

分类号：TM912.9

资助基金："十一五"科技支撑计划项目2008BAE60B00

在线出版日期：2009-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：131-134