ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究

摘要：

针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ESD)作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流SCR的ESD敏感度特性,确定了ESD作用下SCR的失效模式为门极电压作用失效、阴阳极断路.采用理论和试验相结合的方法得出了SCR意外导通的开启时间仅与阳极电压和器件本身特性有关的结论,并进一步通过方波电磁脉冲注入的对比试验,揭示了ESD作用下SCR因dV/dt触发导通的开启时间只与ESD注入电压有关:注入电压越高,开启时间越短.

关键词：晶闸管(SCR)、静电放电(ESD)、非正常导通、阳极电压变化率、失效模式

所属期刊栏目：34

分类号：TN784(基本电子电路)

在线出版日期：2019-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：512-517