SiO2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布

摘要：

采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.

关键词：图案晶圆片、快速热处理、辐射传热、温度分布、热传输特性

所属期刊栏目：34

分类号：O551.2(热学与物质分子运动论)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目N110204015;中国博士后科学基金面上资助项目2012M510075

在线出版日期：2015-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：248-251