铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性

摘要：

研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850 ℃和750 ℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950 ℃时的氧化情况.观察了试样在950 ℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快.因此认为在750～850 ℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺.

关键词：碳化硅砖、铝电解槽、腐蚀、氧化

所属期刊栏目：23

分类号：TF821(有色金属冶炼)

资助基金：国家自然科学基金50174017;国家重点基础研究发展计划973计划1999064903

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：345-347