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10.3321/j.issn:1005-3026.2001.01.031

庞磁电阻效应材料中的低温电阻率反常现象

引用
发现在La1/3Nd1/3Ba1/3MnO3和La1/3Nd1/3Sr1/3MnO3材料中存在低温电阻率极小值现象经曲线拟合分析后,认为其机理在于材料中存在类似于磁性杂质对传导电子自旋散射造成的近藤效应(Kondo Effect),是出现局域磁有序的结果

CMR材料、低温电阻率极小、局域磁有序、Kondo效应、曲线拟合

22

O513(低温物理学)

国家自然科学基金59972005;辽宁省自然科学基金972182

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

111-114

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东北大学学报(自然科学版)

1005-3026

21-1344/T

22

2001,22(1)

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