10.3969/j.issn.1673-1794.2021.02.007
HfGdOX栅介质薄膜晶体管的制备及其反相器应用
采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdOX薄膜(HGO).通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度.以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μsat)达16.8 cm2 v-1 s-1,开关电流比达1.5×107.基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9.结果表明,水溶液法制备的HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景.
HfGdOX、水溶液法、薄膜晶体管、反相器
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O484(固体物理学)
2021-07-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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