Sm1-xZnxFeO3半导体材料的制备和气敏性能研究
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10.3969/j.issn.1673-1794.2011.02.017

Sm1-xZnxFeO3半导体材料的制备和气敏性能研究

引用
用化学共沉淀法制备了Sm1-xZnxFeO3(0≤x≤0.10)半导体气敏材料.对其固相组成、导电行为和气敏性能进行了研究.结果表明:该系列粉体为正交晶系钙钛矿型结构;6%Zn掺杂SmFeO3导电优于纯相;在160℃工作温度下,6%Zn掺杂微粉制作的元件对0.1%丙酮的灵敏度高达568,是相同工作条件下纯相SmFeQ3元件的8.5倍,响应-恢复时间分别为4S,和4min.

Sm1-xZnxFeO3、钙钛矿结构、气敏材料、丙酮

13

O472(半导体物理学)

滁州学院首届大学生科技创新基金项目2009032;安徽省应用化学省级重点学科建设项目200802187C;安徽省教育厅基金项目KJ2008A065

2011-12-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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滁州学院学报

1673-1794

34-1288/Z

13

2011,13(2)

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