10.19594/j.cnki.09.19701.2023.01.001
射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能
采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N2与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响.研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为0.45 Pa、总流量为100 sccm的情况下,随着N2与Ar流量比的增大,材料软磁性能变弱,矫顽力从24.5 Oe增大到104 Oe,并且面内磁各向异性减弱.在其他条件不变,增大溅射电流时薄膜材料厚度增加,且矫顽力也明显增大,表现出明显的旋转各向异性.对于在430℃×5 h真空退火、总流量为20 sccm、对应不同N2流量比的FeN薄膜,随着N2含量的增加,材料中Fe2N和Fe3N的增多,甚至在某些N2流量比下薄膜呈非磁性.在Ar气和N2流量比为19:1时制备出γ′-Fe4N相结构的多晶薄膜.
FeN薄膜、射频磁控溅射、工艺参数、结构、磁性能
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TM271+.2(电工材料)
四川省科技计划资助项目;四川省科技计划资助项目;四川省人力资源和社会保障厅博士后科研项目
2023-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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