MgO插层对NiFe各向异性磁电阻薄膜信噪比的影响

摘要：

用磁控溅射法在不同温度下退火分别制备有无MgO插层的NiFe薄膜,对比了两种薄膜退火前后的AMR、灵敏度和微观结构.制备态下有无MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声相差不大,退火后无MgO插层薄膜的1/f噪声因扩散而明显上升,退火后有MgO插层的NiFe薄膜的1/f噪声则大幅下降,信噪比提高.电镜分析表明MgO插层在退火过程中会晶化,MgO/NiFe界面更加平整,界面应力下降,缺陷浓度降低,从而使1/f噪声大幅下降.

关键词：NiFe薄膜、MgO插层、1/f噪声、信噪比、退火

所属期刊栏目：53

分类号：O484.4+3(固体物理学)

在线出版日期：2022-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30