10.19594/j.cnki.09.19701.2021.05.012
V2O5掺杂对低温烧结MnZn功率铁氧体显微结构及性能的影响
采用氧化物陶瓷工艺制备低温烧结MnZn功率铁氧体材料,研究V2O5掺杂对材料显微结构、烧结温度、烧结密度、收缩率、磁导率、饱和磁感应强度及功耗特性的影响.结果表明,随V2O5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,收缩率增大,烧结密度、磁导率及饱和磁感应强度先增高后降低,功耗先降低后增高.配方采用MnCO3:38.85 mol%、ZnO:10.18 mol%、Fe2O3:50.97 mol%,基础添加Bi2O3:1 wt%并掺杂V2O5:0.5~0.7 wt%,可获得具有高饱和磁感应强度(Bs>380 mT,1.2 kA/m下测量)、低功耗(功率损耗Pcv<500 kW/m3(20℃,1 MHz,30 mT)、高磁导率(1000左右)的性能,显微结构致密,其烧结温度<950℃.
MnZn功率铁氧体;低温烧结;V2O5掺杂;显微结构;性能
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TM277+.1(电工材料)
2021-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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