10.19594/j.cnki.09.19701.2021.03.018
中高频低损耗MnZn铁氧体材料研发进展
随着第三代宽禁带半导体的应用,功率器件的小型化、高频化、轻量化对MnZn铁氧体材料提出了高频低损耗化的迫切需求.分析了适用于500 kHz及以上频率的中高频MnZn功率铁氧体的低功耗化机理,归纳了高频MnZn铁氧体的发展历程,对比了几种在中高频下表现优异的典型MnZn铁氧体材料,指出了高频低损耗铁氧体开发中有待解决的一些问题.
MnZn铁氧体;中高频;磁滞损耗;涡流损耗
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TM277+.1(电工材料)
国家自然科学基金项目;浙江省公益技术应用研究计划项目;宁波市"科技创新2025"重大专项;山东省重点研发计划重大科技创新工程项目
2021-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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