10.3969/j.issn.1001-3830.2016.02.002
Co掺杂对纳米TiO2薄膜磁电阻特性的影响
为了研究复合纳米TiO2材料的磁电阻特性,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了Co掺杂TiO2薄膜样品。利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜观测薄膜样品的微结构特征,利用振动样品磁强计和多功能物理性质测量系统测试样品的磁特性和磁电阻。结果表明,Co掺杂量对TiO2薄膜的磁电阻特性有重要影响:磁性金属含量较高的薄膜样品出现较大的磁电阻,磁电阻峰值为-14%,峰值温度为250K;磁性金属含量较低薄膜样品具有较小的磁电阻值;由于Co掺杂影响了薄膜的微结构和导电性,导致出现了特殊的磁电阻效应。
纳米TiO2薄膜、Co掺杂、磁电阻、微结构
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O484.3;TM27(固体物理学)
国家自然科学基金资助项目10774037;河北省科技厅指导计划项目13211032;河北建筑工程学院青年基金资助项目KYQ-201324
2016-05-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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