10.3969/j.issn.1001-3830.2015.06.014
组合掺杂对低温烧结NiZn功率铁氧体功耗特性的影响
采用陶瓷工艺制备低温烧结NiZn软磁铁氧体材料,研究了掺杂Co2O3、CuO、Bi2O3、V2O5、SiO2等对材料烧结温度及主要磁性能如磁导率、功耗等的影响. 结果表明,Bi2O3对降低材料烧结温度有益但对功耗改善无益,SiO2对功耗改善有益但效果不明显,而组合添加0.15mol% Co2O3、9.0mol% CuO、0.40~0.50wt% V2O5不仅可达到大幅度降低材料功率损耗,改善功耗特性,而且可保证材料低温烧结和其它优良磁性能,并获得具有低温烧结(烧结温度900℃左右)、低功耗(功率损耗Pcv≤300kW/m3(20℃,1MHz,30mT))、适于LTCF工艺和片式功率器件应用的NiZn功率铁氧体材料.
NiZn功率铁氧体、掺杂、低温烧结、功耗
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TM277+.1(电工材料)
2015-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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