10.3969/j.issn.1001-3830.2015.06.013
磁路结构及材料参数对磁流变抛光区磁场的影响
针对磁流变抛光设备中磁路的结构特点,利用简化的二维模型,基于有限元软件ANSYS,分析了磁路相关参数对抛光区域磁感应强度和分布的影响,具体包括磁路所用导磁材料的磁导率、饱和磁感应强度、气隙长度、磁轭截面积、磁极形状和线圈冷却结构等因素.结果表明,对类似结构的磁路设计,应参考以下几条原则:选用磁导率和饱和磁感应强度高的材料,气隙长度对磁感应强度与分布均有影响,而磁轭截面只需保证材料工作在高导磁线性区即可,磁极形状和线圈冷却结构对抛光区域磁感应强度影响可忽略.
磁路、磁感应强度、气隙、磁轭、磁极、磁导率
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TM14(电工基础理论)
国家科技重大专项2013ZX04006011
2015-12-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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