Y2O3插层对Ni81Fe19薄膜各向异性磁电阻的影响

摘要：

以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层，利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta(4nm)/ Y2O3(t)/Ni81Fe19(20nm)/ Y2O3(t)/Ta(3nm)，利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻（AMR），用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线，利用X射线衍射仪（XRD）分析样品薄膜结构，研究了Y2O3插层厚度对 Ni81Fe19薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明，在基片温度为450℃时，Ni81Fe19薄膜 AMR 值随插层厚度增加先增后减，在插层厚度为2.5nm时样品具有最大AMR，其值为4.61%，比无插层样品的2.69%提高了71.3%。

关键词：Ni81Fe19薄膜、各向异性磁电阻、Y2O3插层

分类号：O484.4+3;TM271+.2(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金资助项目ZR2013EMM009

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13