10.3969/j.issn.1001-3830.2013.04.001
基片温度对Ni81Fe19薄膜磁性能的影响
采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响.结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(△H)则先减小后增大最后基本保持不变.当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值△H=7.44kA/m (9GHz).
Ni81Fe19薄膜、电子束蒸发、基片温度、磁性能、铁磁共振线宽
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O484.4+3(固体物理学)
国家自然科学基金资助项目51101028;中央高校基金资助项目E022050205
2013-11-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1-4,13