基片温度对Ni81Fe19薄膜磁性能的影响

摘要：

采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响.结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(△H)则先减小后增大最后基本保持不变.当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值△H=7.44kA/m (9GHz).

关键词：Ni81Fe19薄膜、电子束蒸发、基片温度、磁性能、铁磁共振线宽

所属期刊栏目：44

分类号：O484.4+3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51101028;中央高校基金资助项目E022050205

在线出版日期：2013-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,13