基片温度对Ni81Fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

摘要：

利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜.着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响.利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向；用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻.结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反.基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23％,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值.

关键词：Ni81Fe19薄膜、基片温度、结构、各向异性磁电阻、磁控溅射、缓冲层厚度

分类号：O484.4+3(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金资助项目ZR2009FM028

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23