Zn1-xMgxO薄膜中缺陷诱导的室温铁磁性

摘要：

采用脉冲激光沉积( PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备2n1 -xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)薄膜,研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影响.分析表明,Mg掺杂量会影响薄膜中的缺陷浓度,进而影响缺陷周围离子中的自旋极化效应,对薄膜磁性产生影响.氧压的增大会使Zn0.925Mg0.075O薄膜中锌位氧(Ozn)缺陷浓度增大,但是,缺陷浓度过大又会使薄膜中出现缺陷对,这些影响使薄膜磁性随氧压的增大先增大后减小.而后续退火会影响薄膜结晶质量和缺陷浓度,也会对薄膜磁性产生影响.上述三个因素对Mg掺杂ZnO薄膜磁性的影响都与薄膜中的缺陷浓度变化有关.

关键词：ZnO薄膜、Mg掺杂、室温铁磁性、缺陷

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分类号：O484.4+3;TN304.7(固体物理学)

资助基金：安徽省自然科学基金资助项目090414177

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-30,72