高频高直流叠加Mn-Zn铁氧体DMR50B材料研制

摘要：

随着电子设备的小型化,现代高频电子技术需要使用高直流叠加和低功耗的MnZn软磁铁氧体材料.在DMR50材料的基础上,用传统的陶瓷法制备了可使用至3MHz、具有更低功耗、极优直流叠加特性的DMR50B铁氧体材料.通过对成份、掺杂、制备工艺及微结构的优化,其磁性能也得到了进一步提升.在3 MHz, 10 mT和100℃时材料的功耗在200 kW/m3 左右,在700 kHz, 30 mT和100℃时只有20 kW/m3左右.其截止频率fr在4 MHz左右,并且在HDC=100A/m时其增量磁导率((仍保持不变.另外,也研究了这种DMR50B新材料的各种电磁特性及微结构.

关键词：Mn-Zn铁氧体、直流叠加、高频、低功耗、截止频率

所属期刊栏目：41

分类号：TM227+.1(电工材料)

资助基金：浙江省151人才项目, 浙江省分析测试基金资助项目A 04089;浙江省重大科技攻关资助项目2005C11042

在线出版日期：2010-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：36-41,56