共沉淀法制备的Cu掺杂ZnO体系的磁性

摘要：

利用共沉淀法制备了Cu掺杂的Zn1-xCuxO(x=0,0.01,0.02)系列样品.利用X射线衍射仪(XRD)分析了样品的相成分,结果显示600℃烧结、掺杂浓度为1%的样品为单相纤锌矿结构,掺杂浓度为2%的样品出现第二相CuO.利用综合物性测试仪(PPMS)测量了样品的室温(300K)及低温(10K)磁性能,结果表明所有样品均呈室温铁磁性,掺杂浓度为1%、600℃烧结样品磁转变温度高于300K.最后简要讨论了铁磁性起因.

关键词：Zn1-xCuxO、稀磁半导体、共沉淀法、铁磁性

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.7(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33