10.3969/j.issn.1001-3830.2007.04.007
重掺杂Bi:YIG溅射薄膜的磁和磁光性能
用磁控溅射+快速退火晶化处理在YAG、Al2O3基片上制备了重掺杂Bi:YIG磁光薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、磁光克尔仪/光学分度计、振动样品磁强计(VSM)分别研究了薄膜的微结构、磁光性能和磁性能.薄膜的饱和磁化强度为135~139 kA/m,不同基片上制备的薄膜的矫顽力不同,薄膜的法拉第角在450~610nm的光波段范围内约为3~5°/μm;当退火温度在600℃时,在两种基片上制备的薄膜透射率谱非常相似,当退火温度为800℃时,在Al2O3基片上的薄膜透射率谱将出现一个台阶.
Bi:YIG薄膜、结构、磁性能、磁光性能
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O484.4+3(固体物理学)
2007-11-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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