高性能低温烧结NiCuZn材料ZL500的开发

摘要：

介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发.研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能.

关键词：NiCuZn铁氧体、低温烧结、掺杂、磁导率、Q值

所属期刊栏目：37

分类号：TM277+.1(电工材料)

在线出版日期：2006-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49