电镀法制备的CoNiMnP永磁薄膜

摘要：

采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜,并对该薄膜的微结构、组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明,在室温、pH值3～4、电流密度小于10mA/cm2的条件下,能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜,薄膜的组成(质量分数)为:Co 90.32%、Ni 7.83%、Mn 0.74%、P 1.11%,垂直薄膜方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m3;平行薄膜方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m3.

关键词：CoNiMnP永磁薄膜、电镀、垂直各向异性、微结构、磁性能

所属期刊栏目：34

分类号：TG174.441;TM273(金属学与热处理)

资助基金：国防预研基金JKA5005

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-6