2D/0D氮化碳与MoS2量子点直接Z型光催化剂的构筑及光催化性能
近年来,光催化技术作为一种"绿色"技术,在解决环境问题和能源危机等方面有着广泛的应用.新型可见光响应的半导体光催化材料g-C3N4具有二维(2D)纳米片结构,合适的禁带宽度(Eg=2.7 eV),优异的化学稳定性和低廉成本得到广泛的研究.但是,g-C3N4光催化剂本身的光生电子-空穴对复合几率高以及可见光响应范围窄等缺点,使其在光催化领域应用中具有一定的局限性.因此,提高g-C3N4半导体材料的光催化活性成为近年的研究热点.众所周知,Z型光催化体系的构筑不仅使材料具有较强的氧化还原能力而且有利于其光生电子-空穴的有效分离.但传统Z型光催化体系由于贵金属的引入、复杂的反应体系限制了其在实际领域中的应用.因此,构筑无电子介体的直接Z型光催化体系成为光催化领域的研究热点之一.与块状材料相比,零维(0D)量子点材料具有带隙可调性,可见光和近红外区域的强光收集能力等性能,在光催化领域具有广阔的应用前景.MoS2量子点具有优异的光学和电子性能,因此,在催化、荧光检测、生物成像领域有重要的应用价值.我们结合水热和微乳溶液法合成了直接Z型g-C3N4/MoS2 QDs(2D/0D)复合光催化材料,并采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM),透射电子显微镜(TEM)以及紫外可见漫反射光谱(UV-vis)等表征方法对该催化剂的结构特征、微观形貌和光学性能进行分析.并研究了g-C3N4/MoS2 QDs复合材料在可见光下的光催化性能.XRD,XPS结果表明,复合材料由g-C3N4,MoS2组成.TEM和高斯分布结果表明,MoS2 QDs具有良好的分散性,其尺寸小于5 nm,g-C3N4纳米片由具有皱纹和不规则折叠结构的薄层组成,在g-C3N4/MoS2 QDs复合材料中可以看到少量的MoS2量子点沉积在片状g-C3N4的表面上.光催化性能测试结果进一步表明,7%MoS2 QDs/g-C3N4在可见光下具有优异的光催化性能:可见光照射12 min内,RhB的降解效率可达100%,降解速率常数是纯g-C3N4的8.8倍.为了进一步研究g-C3N4/MoS2异质结光催化剂的光催化机理,用对苯醌、乙二胺四乙酸二钠和丁醇进行了自由基捕捉剂实验.结果表明,超氧自由基在降解有机染料过程中起主要作用,羟基自由基和空穴在增强的光催化性能中发挥相对较小的作用.通过光电流测试、材料价带导带位置计算以及?O2-和?OH定量实验结果并结合文献分析认为,MoS2量子点和g-C3N4之间优良的界面接触以及由直接Z型结构产生的光生电荷载体的有效分离使其光催化性能得到显著提升.
光催化、直接Z构型、二维、零维、g-C3N4、MoS2量子点
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TG1;TN2
国家自然科学基金51672113;江苏省六大人才高峰2015-XCL-026;江苏省自然科学基金BK20171299;武汉理工大学复合新技术国家重点实验室开放基金2016-KF-10;福州大学能源与环境光催化国家重点实验室开放基金SKLPEE-KF201705. This work was supported by National Natural Science Foundation of China51672113;Six Talent Peaks Project in Jiangsu Province2015-XCL-026;Natural Science Foundation of Jiangsu ProvinceBK20171299;State Key Laboratory of Photocatalysis on Energy and EnvironmentSKLPEE-KF201705;Fuzhou University, and State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing2016-KF-10;Wuhan University of Technology, and the QingLan Project Foundation of Jiangsu Province
2018-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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