氧在银/二氧化硅催化剂上的超高真空程序升温脱附

摘要：

研究了氧在Ag/SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附. 结果表明,脱附谱中出现了对应于表面分子氧(Tp=340 K)、体相氧(Tp=570 K)和次表层氧(Tp=700～800 K)的脱附峰. 由于催化剂在制备过程中经过高温焙烧,因而其表面原子氧浓度低,脱附谱中未出现原子氧的脱附峰. 高温焙烧还可使表面缺陷浓度增大,有利于原子氧向体相扩散,形成体相溶解氧,也有利于体相氧向表面扩散,所以对应于体相氧的570 K脱附峰较强. 体相氧和次表层氧向表面的扩散遵循不同的扩散机理.

关键词：银、二氧化硅、超高真空程序升温脱附、扩散机理

所属期刊栏目：24

分类号：O643(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20073009

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：669-673