10.3969/j.issn.1672-7029.2000.02.013
单电子器件Ⅰ-Ⅴ特性的半经曲拟合
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,通过对主主程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合.单电子器件的半经典拟合对于单电子器件的设计有很大的指导作用.
单电子器件、主方程
18
TU473.1+4(土力学、地基基础工程)
国家自然科学基金69771011,69890227;教育部霍英东教育基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
53-56