一种改进的忆阻器交叉阵列
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1674-8042.2017.03.007

一种改进的忆阻器交叉阵列

引用
本文对忆阻器的惠普模型与差分型忆阻器存储单元进行了分析与研究.利用惠普模型构成了经典的忆阻器交叉阵列,并对其存储性能进行了分析与仿真,提出了一种改进的基于差分型忆阻器单元的忆阻器交叉阵列.理论分析与仿真表明,改进的阵列在存储灰度图像时具有更好的效果,其峰值信噪比提高了约30%.

忆阻器、交叉阵列、建模与仿真、图像存储

8

TP333(计算技术、计算机技术)

Scientific and Technological Innovation Programs of Higher Education Institutions in Shanxi Province20151101;Shanxi Key R&D Plan2016-40-2;Innovative Training Program for College Students in Shanxi Province2016481;Natural Science Foundation of Shanxi Province201701D121067

2017-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

254-260

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

测试科学与仪器

1674-8042

14-1357/TH

8

2017,8(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn