10.3969/j.issn.1673-9140.2003.03.018
多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究
采用高灵敏度的micro-Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70~90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40 cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.
多孔硅薄膜、共焦微Raman、频移
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O484.4+1;O657.37;O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金19525410
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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