一种提高多孔硅发光稳定性的有效方法

摘要：

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法,即真空中微波等离子体辅助的硫钝化处理.傅里叶变换红外谱表明,经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖,与未经处理的样品相比,其发光强度增加约3.5倍,PL峰蓝移了40 nm,而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化.表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一.

关键词：钝化处理、微波等离子体、稳定性、SiSx、SiOy

所属期刊栏目：16

分类号：O433.4(光学)

在线出版日期：2006-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：74-76