钠氢通道1在脑缺血再灌注损伤中的相关机制研究进展
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1671-8348.2017.02.044

钠氢通道1在脑缺血再灌注损伤中的相关机制研究进展

引用
大脑发生缺血一段时间后再恢复血供,不仅不能改善脑缺血的症状,还会引起更加严重的脑功能障碍,该现象被称为脑缺血再灌注损伤.各种疾病(脑卒中)、创伤,以及手术(颈内动脉内膜切除术,动脉瘤修补术)都是脑缺血再灌注损伤的常见原因.脑缺血再灌注损伤的机制复杂,缺血和再灌注过程通过引起一系列细胞、分子及其调节过程的变化损伤脑功能,其中主要包括离子失衡、血脑屏障破坏、氧化应激、炎症反应、细胞凋亡等.

脑缺血、再灌注、再灌注损伤、钠氢通道1

46

R614.4(外科手术学)

2017-02-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

271-273

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

重庆医学

1671-8348

50-1097/R

46

2017,46(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn