超低频经颅磁刺激对脑缺血大鼠认知功能的影响及机制

摘要：

目的：研究超低频经颅磁刺激（TMS）对脑缺血大鼠认知功能的影响并探讨其机制。方法将60只健康大鼠分为4组（各15只）：A组（假手术组），B组（模型组），C组（TMS组）和D组（TMS＋H89组）。比较各组大鼠的逃避潜伏时间、跨越原平台次数及血管内皮生长因子（VEGF）、脑源性神经营养因子（BDNF）和巢蛋白（nestin）的表达水平。结果A组大鼠逃避潜伏期为（16．31±2．33）s，跨越原平台次数为（8．02±1．76）次；B组大鼠逃避潜伏期为（57．14±2．89）s，跨越原平台次数为（3．15±0．88）次；C组大鼠逃避潜伏期为（29．18±1．95）s，跨越原平台次数为（5．44±0．75）次；D组大鼠逃避潜伏期为（45．87±2．06）s，跨越原平台次数为（4．16±1．02）次。与A组比较，B、C、D组大鼠的逃避潜伏期明显延长，且B组长于D组及C组，差异均有统计学意义（P＜0．05）；大鼠的跨越原平台次数明显减少，且B组少于D组及C组，差异均有统计学意义（P＜0．05）。各组大鼠VECF、BDNF和nestin表达水平比较，差异均有统计学意义（P＜0．05）。结论低频TMS可以明显改善脑缺血大鼠的认知功能，其作用与环磷腺苷效应元件结合蛋白及其下游基因（VEGF、BDNF）的表达有关。

关键词：经颅磁刺激、脑缺血、认知功能

所属期刊栏目：45

分类号：R743.3(神经病学与精神病学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目81070101。

在线出版日期：2016-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：2897-2899