硅烯上的克莱因隧穿

摘要：

基于硅烯的四带低能有效哈密顿量,通过求解狄拉克方程研究了单层硅烯上的势垒隧穿,得出了硅烯中隧穿几率随入射角度的变化关系.当入射方向为正入射时,电子完全透射,隧穿几率不随隧穿势垒宽度和门电压改变而变化,表明在硅烯中可以观察到克莱因隧穿现象.进一步研究了硅烯在常规半导体相、拓扑绝缘体相以及半金属相等不同物相中的量子输运,发现不同的物相对于电子的隧穿影响不大.该研究有助于澄清硅烯上克莱因隧穿的特性,并为基于硅烯的强鲁棒性量子隧穿器件设计提供思路.

关键词：硅烯、克莱因隧穿、狄拉克方程

所属期刊栏目：35

分类号：TN304;O431.2(半导体技术)

在线出版日期：2023-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：754-759