基于GaAs pHEMT 2.5～4.3 GHz驱动功率放大器芯片设计

摘要：

为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该PA设计采用共源共栅级驱动共源极放大器的双级放大结构,其中共源共栅级驱动放大器可实现良好的隔离度,采用负反馈技术实现输入阻抗匹配和级间阻抗匹配,选取共源极放大器实现高线性度指标.经过流片加工后,实测结果显示,该PA在2.5～4.3 GHz频段可实现25.5±1 dB小信号增益,可以满足5G无线通信系统中Sub-6G频段的典型驱动功率放大器的指标要求,具有广泛的市场应用前景.

关键词：GaAs pHEMT;MMIC PA;共源共栅;负反馈;高增益

所属期刊栏目：34

分类号：TN722.75(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院“西部之光”人才培养引进计划;青海省自然科学基金面上项目;青海民族大学研究生创新项目

在线出版日期：2022-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：73-77