高性能电控太赫兹幅度调制器研究

摘要：

设计了一种由具有高谐振强度的四开口圆环超材料结构和高电子迁移率晶体管(high electron mobility tran-sistor,HEMT)复合结构构成的电控太赫兹幅度调制器.将HEMT巧妙地设计在四开口圆环超材料结构的开口处,通过外加电压的方式调节HEMT沟道中的二维电子气浓度,改变超材料结构的谐振模式,进而实现对入射太赫兹波的幅度调控.仿真结果显示,随着二维电子气浓度的改变,调制器的调制深度也随之变化,该调制器在0.146 THz和0.223 THz中心频点处的最大调制深度分别可达到96.9％和92.2％.此外,该调制器可以通过改变器件的结构参数调节器件的工作频点,能够灵活地满足实际应用需求,在无线通信和实时成像等领域具有潜在的应用价值.

关键词：太赫兹、超材料、高电子迁移率晶体管、调制器

所属期刊栏目：33

分类号：TN761.1(基本电子电路)

资助基金：重庆市基础与前沿研究;重庆邮电大学交叉学科与新兴领域重点专项;国家重点研发计划"科技助力经济2020"重点专项;重庆邮电大学光电工程学院大学生科研训练计划36

在线出版日期：2021-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：258-264