硅集成的高Q值、高谐振频率的射频变压器

摘要：

提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器.考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点.基于TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证.结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%.该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本.

关键词：硅基、射频、品质因子、自谐振频率、变压器

所属期刊栏目：29

分类号：TN453;TN609(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金11305031;广东省自然科学基金S2013010011546;中山市科技计划项目2015SYF0202;The National Natural Science Foundation of China11305031;The Science Foundation of Guangdong ProvinceS2013010011546;The Science Project of Zhongshan2015SYF0202

在线出版日期：2017-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：161-166