10.3979/j.issn.1673-825X.2013.05.013
一种高压大电流半导体放电管的研究
针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法.实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%.
高压大电流、半导体放电管、镓扩散、台面工艺、玻璃钝化
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TN342.3(半导体技术)
重庆市科委科技攻关计划项目CSTC,2010AC2142;The Technology Research Foundation Project of CQ CSTCCSTC,2010AC2142
2016-01-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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