980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

摘要：

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计.通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响.根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试.测试结果表明,在室温下,当工作电流为1A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150 μm×500 μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW.

关键词：单量子阱、压应变、Al组分、金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)、转换效率

所属期刊栏目：24

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：212-216,221