一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源

摘要：

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件.采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120 ℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5 ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7ppm/℃的低温度系数.

关键词：带隙基准电压源、曲率补偿、二阶补偿、低温度系数

所属期刊栏目：21

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：78-82,86