6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究

摘要：

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系.在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型.由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异.

关键词：SiC、埋沟MOSFET、C-V特性、界面态

所属期刊栏目：21

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：重庆市科委自然科学基金项目CSTC,2006BB2364

在线出版日期：2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：74-77