MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究

摘要：

在结合考虑6H-SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理, 建立了传感器模型,具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响.利用MATLAB对传感器的电流-电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真,结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素,并确定了在300 ℃时传感器最佳绝缘层厚度为2～2.35 nm,从而有效地提高了传感器灵敏度.

关键词：6H-SIC、肖特基二极管、氢敏传感器

所属期刊栏目：20

分类号：TN311+.8(半导体技术)

资助基金：重庆市科委自然科学基金项目CSTC2006BB2364

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：692-695