KTaO3:Cu2+的电子顺磁共振参量与局域结构理论研究

摘要：

用基团模型的3d9离子在四角对称下的高阶微扰公式计算了KTaO3晶体中Cu2+杂质中心的g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//和A⊥.通过对四角Cu2+中心的EPR结果分析,发现杂质Cu2+占据了八面体Ta5+的位置,同时在C4轴上的最近邻出现氧空位(Ⅴ.).由于该空位引起的静电排斥作用,Cu2+将沿C4轴在远V.方向上位移一段距离△Z≈0.029 nm.在考虑了上述的缺陷结构后,各向异性g因子和超精细结构常数A因子理论值的理论计算值与实验值符合得比较好.

关键词：配位场理论、电子顺磁共振、缺陷结构、KTaO3:Cu2+

所属期刊栏目：19

分类号：TN304.9(半导体技术)

在线出版日期：2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：507-509