P型ZnO薄膜的制备及特性研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1672-6693.2007.02.026

P型ZnO薄膜的制备及特性研究

引用
@@ ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键.

离子注入、P型ZnO薄膜、退火、射频磁控溅射

24

TN304.055(半导体技术)

重庆市自然科学基金AC4034;重庆市教委资助项目KJ050812

2007-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

21

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

重庆师范大学学报(自然科学版)

1672-6693

50-1165/N

24

2007,24(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn