大功率P沟道VD MOS器件设计与工艺仿真

摘要：

作为现代电力电子核心器件之一的P 沟道VDMOS（vertical double-diffuse，MOS）器件，一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象，为一款击穿电压超过－200 V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构，并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过－200 V，阈值电压为－2．78 V，完全满足了设计要求，也为下一步流片提供了有益的参考。

关键词：P沟道VDMOS、击穿电压、导通电阻、阈值电压

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61106106；中央高校基本科研业务费专项基金K5051325002，K50511250008。Supported by the National Natural Science Foundation of China61106106;the Fundamental Research Funds for the Central Universities K5051325002，K50511250008．

在线出版日期：2016-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：133-138