磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO2气敏特性分析

摘要：

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO:In)薄膜.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO:In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向.气敏研究结果表明ZnO:In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关.ZnO:In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO:In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力.

关键词：氧化锌薄膜、铟掺杂、磁控溅射、二氧化氮

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.24;TB43(半导体技术)

资助基金：重庆市自然科学基金CSTC2007BB4137;重庆大学研究生科技创新项目200904A1B0010314;200801A180060265;重庆大学211工程三期创新人才培养计划建设项目S-09109

在线出版日期：2009-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1002-1005,1015