标准CMOS工艺的外层型人工视网膜芯片设计

摘要：

针对外层型视网膜修复技术中芯片像素密度难以提高的问题,设计了一种具有更小尺寸及更高像素密度的视网膜芯片.芯片采用CHRT公司0.35μm标准CMOS工艺,选用双向驰张振荡器电路作为基本像元电路,在Cadence软件平台上进行了电路的调试及版图制作和后仿真.实验结果表明,像元电路能够随光电流大小变化输出幅值及频率可调的脉冲信号对视网膜神经细胞进行有效刺激,版图制作后仿真得到像元电路脉冲宽度为0.26 ms,频率为18～503 Hz,版图大小为65 μm×65μm,初步设计的芯片大小为1.1 mm×1.1 mm.芯片各项参数均能满足生理学上对视网膜神经细胞进行有效刺激的要求,实验结果为芯片后续研究提供了良好的基础.

关键词：视网膜芯片、外层型人工视网膜修复、标准CMOS工艺、电刺激

所属期刊栏目：32

分类号：R318.18(医用一般科学)

资助基金：国家自然科学基金30470469;国家高技术研究发展计划863计划2007AA04Z324;同济大学校科研和教改项目CSTC2006BB3146

在线出版日期：2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：859-863